मूल र नयाँ आईसी इलेक्ट्रोनिक्स चिप्सको साथ वन स्टप सेवा SON8 TPS7A8101QDRBRQ1

कम ड्रपआउट भोल्टेज (LDO) रैखिक नियामकहरू कम लागत, कम आवाज, कम शान्त वर्तमान, केही बाह्य घटकहरू, सामान्यतया केवल एक वा दुई बाइपास क्यापेसिटरहरू, र धेरै कम आफ्नै आवाज र उच्च पावर आपूर्ति अस्वीकार अनुपात (PSRR) छन्।LDO धेरै कम स्व-उपभोगको साथ चिप (SoC) मा एक लघु प्रणाली हो।यो हालको मुख्य च्यानल नियन्त्रणको लागि प्रयोग गर्न सकिन्छ र यसमा एकीकृत हार्डवेयर सर्किटहरू छन् जस्तै MOSFETs धेरै कम इन-लाइन अन-रेजिस्टेन्स, Schottky डायोडहरू, नमूना प्रतिरोधकहरू, र भोल्टेज डिभाइडरहरू, साथै अति-वर्तमान सुरक्षा, अधिक-तापमान संरक्षण, सटीक सन्दर्भ स्रोतहरू, भिन्नता एम्पलीफायरहरू, ढिलाइहरू, इत्यादि। PG प्रत्येक उत्पादन अवस्था र ढिलाइ भएको सुरक्षित बिजुली आपूर्तिको लागि स्व-परीक्षण सहितको LDO को नयाँ पुस्ता हो, जसलाई पावर गुड, अर्थात् "पावर गुड वा पावर स्टेबल" पनि भन्न सकिन्छ। ।धेरै LDOs लाई स्थिर सञ्चालनको लागि इनपुटमा र आउटपुटमा एउटा मात्र क्यापेसिटर चाहिन्छ।

नयाँ LDO ले निम्न विनिर्देशहरू प्राप्त गर्न सक्छन्: 30µV को आउटपुट आवाज, 60dB को PSRR, 6µA को शान्त वर्तमान, र केवल 100mV को भोल्टेज ड्रप।LDO रैखिक नियामकहरूको यो सुधारिएको कार्यसम्पादनको मुख्य कारण भनेको P- च्यानल MOSFET प्रयोग गरिएको नियामक हो, जुन भोल्टेज-संचालित छ र यसलाई कुनै करेन्टको आवश्यकता पर्दैन, यन्त्र आफैंले खपत गरेको वर्तमान घटाउँछ र त्यसमा भोल्टेज ड्रप हुन्छ।ड्रप लगभग आउटपुट वर्तमान र अन-प्रतिरोध को उत्पादन को बराबर छ।MOSFET मा भोल्टेज ड्रप यसको कम अन-प्रतिरोधको कारण धेरै कम छ।सामान्य रैखिक नियामकहरूले PNP ट्रान्जिस्टरहरू प्रयोग गर्छन्।PNP ट्रान्जिस्टरहरू भएका सर्किटहरूमा, PNP ट्रान्जिस्टरलाई संतृप्तिमा जानबाट रोक्न र आउटपुट क्षमता घटाउन इनपुट र आउटपुट बीचको भोल्टेज ड्रप धेरै कम हुनु हुँदैन।