वेफर ब्याक ग्राइन्डिङ प्रक्रियाको परिचय
1. ब्याक ग्राइन्डिङको उद्देश्य
वेफर्सबाट अर्धचालकहरू बनाउने प्रक्रियामा, वेफर्सको उपस्थिति निरन्तर परिवर्तन हुन्छ।पहिलो, वेफर निर्माण प्रक्रियामा, वेफरको किनारा र सतहलाई पालिश गरिन्छ, एक प्रक्रिया जसले सामान्यतया वेफरको दुबै छेउलाई पीस्छ।फ्रन्ट-एन्ड प्रक्रियाको अन्त्य पछि, तपाईं ब्याकसाइड ग्राइंडिंग प्रक्रिया सुरु गर्न सक्नुहुन्छ जुन केवल वेफरको पछाडि पीस्छ, जसले फ्रन्ट-एन्ड प्रक्रियामा रासायनिक प्रदूषण हटाउन सक्छ र चिपको मोटाई कम गर्न सक्छ, जुन धेरै उपयुक्त छ। IC कार्ड वा मोबाइल उपकरणहरूमा माउन्ट गरिएको पातलो चिप्सको उत्पादनको लागि।थप रूपमा, यस प्रक्रियामा प्रतिरोध घटाउने, बिजुली खपत घटाउने, थर्मल चालकता बढाउने र वेफरको पछाडि तापक्रम द्रुत रूपमा फैलाउने फाइदाहरू छन्।तर एकै समयमा, किनभने वेफर पातलो छ, यो भाँच्न वा बाहिरी शक्तिहरू द्वारा विकृत गर्न सजिलो छ, प्रशोधन चरण अझ गाह्रो बनाउँछ।
2. ब्याक ग्राइंडिङ (पछाडि पीस) विस्तृत प्रक्रिया
ब्याक ग्राइन्डिङलाई निम्न तीन चरणहरूमा विभाजन गर्न सकिन्छ: पहिलो, वेफरमा सुरक्षात्मक टेप ल्यामिनेशन टाँस्नुहोस्;दोस्रो, वेफरको पछाडि पीस्नुहोस्;तेस्रो, चिपलाई वेफरबाट अलग गर्नु अघि, वेफरलाई टेपलाई सुरक्षित गर्ने वेफर माउन्टिङमा राख्नुपर्छ।वेफर प्याच प्रक्रिया अलग गर्न को लागी तयारी चरण होचिप(चिप काट्ने) र त्यसैले काट्ने प्रक्रियामा पनि समावेश गर्न सकिन्छ।हालका वर्षहरूमा, चिपहरू पातलो भएकाले, प्रक्रियाको क्रम पनि परिवर्तन हुन सक्छ, र प्रक्रियाका चरणहरू अझ परिष्कृत भएका छन्।
3. वेफर सुरक्षाको लागि टेप ल्यामिनेशन प्रक्रिया
पछाडि पीस्ने पहिलो चरण कोटिंग हो।यो एक कोटिंग प्रक्रिया हो जुन वेफरको अगाडि टेप टाँसिन्छ।पछाडि पीस गर्दा, सिलिकन यौगिकहरू वरिपरि फैलिनेछन्, र यो प्रक्रियाको क्रममा बाहिरी शक्तिहरूको कारण वेफर पनि फुट्न वा ताना हुन सक्छ, र वेफर क्षेत्र जति ठूलो हुन्छ, यो घटनाको लागि बढी संवेदनशील हुन्छ।तसर्थ, पछाडि पीस्नु अघि, वेफरलाई जोगाउन पातलो अल्ट्रा भायोलेट (UV) निलो फिल्म जडान गरिन्छ।
फिल्म लागू गर्दा, वेफर र टेप बीच कुनै अन्तर वा हावा बुलबुले बनाउन को लागी, यो टाँसने बल बढाउन आवश्यक छ।यद्यपि, पछाडि पीस गरेपछि, टाँसेको बल कम गर्न वेफरमा टेपलाई पराबैंगनी प्रकाशले विकिरण गरिनुपर्छ।स्ट्रिपिङ पछि, टेप अवशेष वेफर सतह मा रहनु हुँदैन।कहिलेकाहीँ, प्रक्रियाले कमजोर आसंजन र बबल गैर-अल्ट्राभायोलेट कम गर्ने झिल्ली उपचारको सम्भावना प्रयोग गर्दछ, यद्यपि धेरै बेफाइदाहरू, तर सस्तो।यसको अतिरिक्त, UV रिडक्सन झिल्ली भन्दा दोब्बर बाक्लो हुने बम्प फिल्महरू पनि प्रयोग गरिन्छ, र भविष्यमा बढ्दो आवृत्तिको साथ प्रयोग हुने अपेक्षा गरिन्छ।
4. वेफर मोटाई चिप प्याकेजको विपरीत समानुपातिक छ
ब्याकसाइड ग्राइन्डिङ पछि वेफर मोटाई सामान्यतया 800-700 µm बाट 80-70 µm सम्म घटाइन्छ।दशौं भागमा पातलो पारिएको वेफर्सले चारदेखि छ तहहरू स्ट्याक गर्न सक्छ।हालसालै, वेफरहरूलाई दुई-पीस प्रक्रियाद्वारा लगभग 20 मिलिमिटरसम्म पातलो गर्न सकिन्छ, यसरी तिनीहरूलाई 16 देखि 32 तहहरूमा स्ट्याक गर्न सकिन्छ, बहु-तह सेमीकन्डक्टर संरचनालाई बहु-चिप प्याकेज (MCP) भनिन्छ।यस अवस्थामा, धेरै तहहरूको प्रयोगको बावजुद, समाप्त प्याकेजको कुल उचाइ एक निश्चित मोटाई भन्दा बढी हुनु हुँदैन, त्यसैले पातलो पीसने वेफर्सहरू सधैं पछ्याइन्छ।वेफर जति पातलो हुन्छ, त्यहाँ धेरै दोषहरू हुन्छन्, र अर्को प्रक्रिया त्यति नै गाह्रो हुन्छ।तसर्थ, यो समस्या सुधार गर्न उन्नत प्रविधि आवश्यक छ।
5. ब्याक ग्राइन्डिङ विधिको परिवर्तन
प्रशोधन प्रविधिका सीमितताहरू पार गर्न वेफरहरूलाई सकेसम्म पातलो काटेर, ब्याकसाइड ग्राइन्डिङ टेक्नोलोजीको विकास जारी छ।५० वा सोभन्दा माथिको मोटाइ भएका साधारण वेफरहरूका लागि, ब्याकसाइड ग्राइन्डिङमा तीनवटा चरणहरू समावेश हुन्छन्: रफ ग्राइन्डिङ र त्यसपछि फाइन ग्राइन्डिङ, जहाँ वेफरलाई दुईवटा ग्राइन्डिङ सत्रपछि काटेर पालिस गरिन्छ।यस बिन्दुमा, केमिकल मेकानिकल पालिशिङ (CMP) जस्तै, स्लरी र डियोनाइज्ड पानी सामान्यतया पालिश प्याड र वेफर बीचमा लागू गरिन्छ।यो पालिसिङ कार्यले वेफर र पालिश प्याड बीचको घर्षण कम गर्न सक्छ, र सतह उज्यालो बनाउन सक्छ।जब वेफर गाढा हुन्छ, सुपर फाइन ग्राइन्डिङ प्रयोग गर्न सकिन्छ, तर वेफर जति पातलो हुन्छ, त्यति नै बढी पालिसिङ आवश्यक हुन्छ।
यदि वेफर पातलो हुन्छ भने, यो काट्ने प्रक्रियाको समयमा बाह्य दोषहरूको खतरा हुन्छ।त्यसकारण, यदि वेफरको मोटाई 50 µm वा कम छ भने, प्रक्रिया अनुक्रम परिवर्तन गर्न सकिन्छ।यस समयमा, DBG (डाइसिङ बिफोर ग्राइंडिङ) विधि प्रयोग गरिन्छ, अर्थात्, पहिलो ग्राइन्डिङ अघि वेफरलाई आधामा काटिन्छ।चिपलाई डाइसिङ, ग्राइन्डिङ र स्लाइसिङको क्रममा वेफरबाट सुरक्षित रूपमा अलग गरिएको छ।थप रूपमा, त्यहाँ विशेष पीस विधिहरू छन् जसले वेफरलाई तोड्नबाट रोक्न बलियो गिलास प्लेट प्रयोग गर्दछ।
बिजुली उपकरणहरूको लघुकरणमा एकीकरणको बढ्दो मागको साथ, ब्याकसाइड ग्राइंडिङ टेक्नोलोजीले यसको सीमितताहरू मात्र पार गर्दैन, तर विकास गर्न जारी राख्नुपर्छ।एकै समयमा, यो केवल वेफर को दोष समस्या समाधान गर्न को लागी आवश्यक छैन, तर भविष्यको प्रक्रिया मा उत्पन्न हुन सक्ने नयाँ समस्याहरु को लागी पनि तयारी गर्न को लागी।यी समस्याहरू समाधान गर्न, यो आवश्यक हुन सक्छस्विचप्रक्रिया अनुक्रम, वा लागू रासायनिक नक्काशी प्रविधि परिचयअर्धचालकअगाडि-अन्त प्रक्रिया, र पूर्ण रूपमा नयाँ प्रशोधन विधिहरू विकास गर्नुहोस्।ठूला क्षेत्रका वेफर्सको अन्तर्निहित दोषहरू समाधान गर्नको लागि, विभिन्न प्रकारका ग्राइन्डिङ विधिहरू खोजी भइरहेको छ।थप रूपमा, वेफरहरू पीस गरेपछि उत्पादन हुने सिलिकन स्ल्यागलाई कसरी पुन: प्रयोग गर्ने भनेर अनुसन्धान भइरहेको छ।
पोस्ट समय: जुलाई-14-2023