इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट आईसी चिप्स एकीकृत सर्किट आईसी TPS74701QDRCRQ1 एक स्थान खरीद

वेफर्स र चिप्स बीचको सम्बन्ध

वेफर्स को अवलोकन

वेफर र चिप्स बीचको सम्बन्ध बुझ्नको लागि, निम्न वेफर र चिप ज्ञानको मुख्य तत्वहरूको एक सिंहावलोकन हो।

(i) एक वेफर के हो

वेफर्सहरू सिलिकन सेमीकन्डक्टर एकीकृत सर्किटहरूको उत्पादनमा प्रयोग हुने सिलिकन वेफरहरू हुन्, जसलाई तिनीहरूको गोलाकार आकारका कारण वेफर्स भनिन्छ;तिनीहरू विभिन्न प्रकारका सर्किट कम्पोनेन्टहरू बनाउन र विशिष्ट विद्युतीय कार्यहरूका साथ एकीकृत सर्किट उत्पादनहरू बन्न सिलिकन वेफर्समा प्रशोधन गर्न सकिन्छ।वेफर्सको लागि कच्चा माल सिलिकन हो, र पृथ्वीको क्रस्टको सतहमा सिलिकन डाइअक्साइडको अपरिहार्य आपूर्ति छ।सिलिकन डाइअक्साइड अयस्कलाई इलेक्ट्रिक आर्क फर्नेसहरूमा परिष्कृत गरिन्छ, हाइड्रोक्लोरिक एसिडसँग क्लोरीन गरिएको छ र 99.999999999999% को शुद्धताको साथ उच्च शुद्धताको पॉलिसिलिकन उत्पादन गर्न डिस्टिल्ड गरिन्छ।

(ii) वेफरका लागि आधारभूत कच्चा पदार्थ

सिलिकन क्वार्ट्ज बालुवाबाट परिष्कृत गरिन्छ र वेफर्सलाई सिलिकन तत्वबाट शुद्ध (९९.९९९%) गरिन्छ, जुन सिलिकन रडमा बनाइन्छ जुन एकीकृत सर्किटहरूको लागि क्वार्ट्ज अर्धचालकहरूको लागि सामग्री बन्न सक्छ।

(iii) वेफर निर्माण प्रक्रिया

वेफर्स अर्धचालक चिप्स निर्माणको लागि आधारभूत सामग्री हो।अर्धचालक एकीकृत सर्किटहरूको लागि सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण कच्चा माल सिलिकन हो र त्यसैले सिलिकन वेफर्ससँग मेल खान्छ।

सिलिकन प्रकृतिमा सिलिकेट वा सिलिकन डाइअक्साइडको रूपमा चट्टान र बजरीहरूमा व्यापक रूपमा पाइन्छ।सिलिकन वेफर्सको निर्माणलाई तीन आधारभूत चरणहरूमा संक्षेप गर्न सकिन्छ: सिलिकन परिष्करण र शुद्धीकरण, एकल क्रिस्टल सिलिकन वृद्धि, र वेफर गठन।

पहिलो सिलिकन शुद्धिकरण हो, जहाँ बालुवा र बजरीको कच्चा पदार्थ विद्युतीय आर्क फर्नेसमा लगभग 2000 डिग्री सेल्सियस तापक्रममा र कार्बन स्रोतको उपस्थितिमा राखिन्छ।उच्च तापक्रममा, बालुवा र बजरीमा कार्बन र सिलिकन डाइअक्साइडले रासायनिक प्रतिक्रिया (कार्बनले अक्सिजनसँग मिल्छ, सिलिकन छोडेर) लगभग 98% शुद्धताको साथ शुद्ध सिलिकन प्राप्त गर्दछ, जसलाई मेटलर्जिकल ग्रेड सिलिकन पनि भनिन्छ, जुन होइन। माइक्रोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको लागि पर्याप्त शुद्ध किनभने अर्धचालक सामग्रीहरूको विद्युतीय गुणहरू अशुद्धताहरूको एकाग्रतामा धेरै संवेदनशील हुन्छन्।यसैले मेटलर्जिकल ग्रेड सिलिकन थप शुद्ध हुन्छ: कुचिएको मेटलर्जिकल ग्रेड सिलिकनलाई तरल सिलेन उत्पादन गर्न ग्याँस हाइड्रोजन क्लोराइडको साथ क्लोरिनेशन प्रतिक्रियाको अधीनमा हुन्छ, जसलाई त्यसपछि डिस्टिल्ड र रासायनिक प्रक्रियाद्वारा घटाइन्छ जसले उच्च शुद्धता पोलीक्रिस्टलाइन सिलिकन उत्पादन गर्दछ। %, जुन इलेक्ट्रोनिक ग्रेड सिलिकन हुन्छ।

अर्को मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन वृद्धि, प्रत्यक्ष पुलिङ (CZ विधि) भनिने सबैभन्दा सामान्य विधि आउँछ।तलको रेखाचित्रमा देखाइए अनुसार, उच्च-शुद्धताको पोलिसिलिकन क्वार्ट्ज क्रुसिबलमा राखिएको छ र लगभग 1400 °C मा तापक्रम कायम राख्दै बाहिरको वरिपरि ग्रेफाइट हीटरद्वारा लगातार तताइन्छ।भट्टीमा रहेको ग्यास सामान्यतया निष्क्रिय हुन्छ, जसले अनावश्यक रासायनिक प्रतिक्रियाहरू सिर्जना नगरी पोलिसिलिकनलाई पग्लन अनुमति दिन्छ।एकल क्रिस्टलहरू बनाउनको लागि, क्रिस्टलहरूको अभिमुखीकरण पनि नियन्त्रण गरिन्छ: क्रुसिबललाई पोलिसिलिकन पग्लिन्छ, यसमा एउटा बीज क्रिस्टल डुबाइन्छ, र रेखाचित्र रडलाई बिस्तारै र ठाडो रूपमा यसलाई माथितिर तान्दा विपरीत दिशामा लगाइन्छ। सिलिकन पग्लिन्छ।पग्लिएको पोलिसिलिकन बीज क्रिस्टलको तल्लो भागमा टाँसिन्छ र बीज क्रिस्टलको जाली व्यवस्थाको दिशामा माथि बढ्छ।